封装现货

TO-3PF 封装现货型号与清单询价

围绕 TO-3PF 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 112 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转清单对比前 5 个查看现货
112匹配型号 8常见品牌 8相关分类
按品牌继续
HXY MOSFET(华轩阳电子)25SANKEN(三垦)9ST(意法半导体)8MASPOWER(麦思浦)5ROHM(罗姆)5AOS4JSMSEMI(杰盛微)4onsemi(安森美)4
按分类继续
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)26三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)14二极管 > 快恢复/高效率二极管9三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块9三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块8三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)5二极管 > 开关二极管3现货库存3
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对TO-3PF 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

TO-3PF 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
STFW3N150ST(意法半导体) · TO-3PF转清单ESAD92M-03RRFUJI/富士电机 · TO-3PF转清单NDUL03N150CGonsemi(安森美) · TO-3PF转清单

购物路径

TO-3PF 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌HXY MOSFET(华轩阳电子) / SANKEN(三垦) / ST(意法半导体) / MASPOWER(麦思浦) 封装TO-3PF
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交TO-3PF 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

STFW3N150

ST(意法半导体)

STFW3N150，ST(意法半导体)，现货库存，TO-3PF封装，72,000件现货
现货库存
TO-3PF
72,000
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ESAD92M-03RR

FUJI/富士电机

ESAD92M-03RR，FUJI/富士电机，现货库存，TO-3PF封装，10,000件现货
现货库存
TO-3PF
10,000
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NDUL03N150CG

onsemi(安森美)

NDUL03N150CG，onsemi(安森美)，现货库存，TO-3PF封装，4,680件现货
现货库存
TO-3PF
4,680
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BYV415J-600PQ

WeEn(瑞能)

BYV415J-600PQ，WeEn(瑞能)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，双超快功率二极管，采用 TO3PF 塑料封装。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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GC3N150PF

SUPSiC(国晶微半导体)

GC3N150PF，SUPSiC(国晶微半导体)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，GC3N150PF 碳化硅超高压MOS
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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BTA41F-1200BW

FUXINSEMI(富芯森美)

BTA41F-1200BW，FUXINSEMI(富芯森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，BTA41F-1200BW
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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WGFW3N150

Wild Goose(威谷)

WGFW3N150，Wild Goose(威谷)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:1500V 电流:3A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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STFW3N150F

Tokmas(托克马斯)

STFW3N150F，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，特性：3A，1500V，RDS(on)典型值 = 5Ω（VGS = 10V，Id = 1.5A时）。 低栅极电荷（典型值37nC）。 低反向传输电容（典型值2.8pF）。 快速开关。 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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JSM26F-800BW

JSMSEMI(杰盛微)

JSM26F-800BW，JSMSEMI(杰盛微)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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JSM41F-800BW

JSMSEMI(杰盛微)

JSM41F-800BW，JSMSEMI(杰盛微)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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STGFW20V60DF

ST(意法半导体)

STGFW20V60DF，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，600 V、20 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3PF
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JST40UF-800BW

JSMSEMI(杰盛微)

JST40UF-800BW，JSMSEMI(杰盛微)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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JST26UF-800BW

JSMSEMI(杰盛微)

JST26UF-800BW，JSMSEMI(杰盛微)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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STTH30M06SPF

ST(意法半导体)

STTH30M06SPF，ST(意法半导体)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，是超快恢复功率整流器，特别适用于在重载应用（如空调设备或电信电源）中以高开关频率工作的升压或 LLC 钳位电路。采用最新超快技术设计，具有强大的抗静电放电性能和高过流能力。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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ESTF75D60U

MASPOWER(麦思浦)

ESTF75D60U，MASPOWER(麦思浦)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，特性：重复反向电压：VRRM = 600V。 正向压降：VF(typ.) = 1.4V。 平均正向电流：IF(Av.) = 75A @ Tc = 100°C。 快速反向恢复时间：trr(typ.) = 45ns。 RoHS产品。应用：开关电源。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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ESTF45D60U

MASPOWER(麦思浦)

ESTF45D60U，MASPOWER(麦思浦)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，FRED利用先进的处理技术实现超快恢复时间和更高的正向电流。其软恢复特性和高可靠性适用于广泛的工业应用。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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ESD4204

MASPOWER(麦思浦)

ESD4204，MASPOWER(麦思浦)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，400V 15A TO-3PF 快恢复二极管
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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ESTF80D30SA

MASPOWER(麦思浦)

ESTF80D30SA，MASPOWER(麦思浦)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，FRD 快恢复二极管 300V 80A TO-3PF
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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OSHF3N150

OSEN(欧芯)

OSHF3N150，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，高品质MOS管 N沟道,3A,1500V,导通电阻：6.3Ω
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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RS3N150PF

REASUNOS(瑞森半导体)

RS3N150PF，REASUNOS(瑞森半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，超高压MOS，工控辅助电源，变频器电源，三相智能电表
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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STGW40V60F

ST(意法半导体)

STGW40V60F，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，600 V、40 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3PF
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SVF4N150PF

SILAN(士兰微)

SVF4N150PF，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，SVF4N150PF(P7)(F) 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-CellTM 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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T2650-6PF

ST(意法半导体)

T2650-6PF，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，采用 TO-3PF 封装的 26A 600V 无缓冲器双向可控硅
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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STTH30AC06CPF

ST(意法半导体)

STTH30AC06CPF，ST(意法半导体)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，使用ST Turbo 2 600 V技术。适合作为升压二极管，特别适用于空调设备中的连续模式交错功率因数校正。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
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FGAF20N60SMD

onsemi(安森美)

FGAF20N60SMD，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体公司推出的新一代场截止第二代IGBT系列产品，为需要低导通和开关损耗的太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能。
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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C3M0900170M-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

C3M0900170M-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），支持5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22V
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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2SK1317-E-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

2SK1317-E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适合高电压应用场景。在导通状态下，其最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000m
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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2SK3747-1E-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

2SK3747-1E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源耐压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适合对电压耐受能力有较高要求的电路环境。导通电阻为1000mΩ（RDON），在开关与功率调节过程中能
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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STFW4N150-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

STFW4N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压工作环境。其最大漏极电流为3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，表现出良好的电
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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2SK3748-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

2SK3748-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），具有较高的电压耐受能力和稳定的开关性能。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压范围
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为800mΩ，栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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MOT3N150V

MOT(仁懋)

MOT3N150V，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，MOT3N150V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NDTL03N150CG-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

NDTL03N150CG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的最大连续工作电流（ID），导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持20V栅源电压（VGS）。该器件具有良好的开关性
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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2SK1835-E-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

2SK1835-E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源击穿电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力，适用于高电压工作环境。在导通状态下，最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为100
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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NDUL03N150CG-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

NDUL03N150CG-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源耐压（VDSS），可支持最大3.7A连续工作电流（ID）。其导通电阻（RDON）为1000mΩ，配合20V栅源电压（VGS）可实现稳定开关控制。该
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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SL4N150P

Slkor(萨科微)

SL4N150P，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一系列具有卓越性能的先进超高压功率MOSFET。强化的版图设计与专有的边缘终端结构相结合，使得单位面积的导通电阻RDS(on)达到最低，同时具备无可比拟的栅极电荷和开关特性。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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G2R1000MT17D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

G2R1000MT17D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐压性能和开关特性，适用于高效率、
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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TMG40C60J

SanRex Corporation

TMG40C60J，SanRex Corporation，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，用于全波交流控制应用。它可以用作开关功能或用于相位控制操作。
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3PF
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BYV30JT-600PQ

WeEn(瑞能)

BYV30JT-600PQ，WeEn(瑞能)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，超快二极管采用TO3PF封装。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-3PF
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C3M0900170D-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

C3M0900170D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道增强型场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-3PF
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SCT2H12NZGC11-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

SCT2H12NZGC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可持续通过5A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源额定电
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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IXTJ4N150-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

IXTJ4N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高耐压、中功率开关应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS高达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为±
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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TMG40CQ60J

SanRex Corporation

TMG40CQ60J，SanRex Corporation，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，用于全波交流控制应用。它可以用作开关功能或用于相位控制操作。
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
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LSIC1MO170E0750-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

LSIC1MO170E0750-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻为800mΩ，栅源电压范围支持±22V。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高压、耐高温性能及出色的开关速度，可显
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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MSC750SMA170B-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

MSC750SMA170B-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道碳化硅（SiC）场效应管，具备1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可支持高压应用环境。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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SICW1000N170A-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

SICW1000N170A-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道碳化硅（SiC）场效应管，具有1700V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压工作环境。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能
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SICW1000N170Y-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

SICW1000N170Y-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的高阻断电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐压能力和高温工作稳定性，开关速度
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STTH60AC06CPF

ST(意法半导体)

STTH60AC06CPF，ST(意法半导体)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，该器件采用ST Turbo 2 600 V技术，特别适合用作空调设备中的升压二极管，用于连续模式交错功率因数校正。该器件还可作为电源和其他功率开关应用中的续流二极管。
二极管 > 快恢复/高效率二极管
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TMG25CQ60J

SanRex Corporation

TMG25CQ60J，SanRex Corporation，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，可用于开关功能或相位控制操作。
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
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MS5N170HGB2

MASPOWER(麦思浦)

MS5N170HGB2，MASPOWER(麦思浦)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，超高压MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SK3746-1E-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

2SK3746-1E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与中功率开关特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为20V
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IXTH2N150L-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

IXTH2N150L-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V漏源击穿电压（VDSS）和3.7A连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制场景。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证开关性能的同时降低了导通损耗，
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IXTH3N150-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

IXTH3N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS），可提供最高3.7A的工作电流（ID）。导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持20V的栅源电压（VGS），适用于多种高效能电源管理
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IXTQ3N150M-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

IXTQ3N150M-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适用于中高功率电路中的开关与调节应用。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证性能的同时降低了导通
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WNSC2M1K0170JQ-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

WNSC2M1K0170JQ-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道增强型高压场效应管，具备1700V的漏源击穿电压（VDSS），可承载5A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为±22
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2SK2225-E-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

2SK2225-E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压电路环境。最大漏极电流为3.7A（ID），导通电阻1000mΩ，具有良好的电流承载
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IXTH4N150-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

IXTH4N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制应用。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证良好导电性能的同时降低了功耗
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SGF23N60UFTU

onsemi(安森美)

SGF23N60UFTU，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，UF系列IGBT提供低传导和开关损耗。该系列专为需要高速开关的通用逆变器等应用而设计。
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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STFW3N150-HXY

HXY MOSFET(华轩阳电子)

STFW3N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有1500V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）能力，适用于高电压工作场景。其最大漏极电流3.7A（ID），导通电阻为1000mΩ，具备良好的电流承
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2SA1673

SANKEN(三垦)

2SA1673，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-3PF封装，询盘确认库存，2SA1673
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SA1746

SANKEN(三垦)

2SA1746，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-3PF封装，询盘确认库存，2SA1746
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SA1909

SANKEN(三垦)

2SA1909，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-3PF封装，询盘确认库存，2SA1909
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2SC4886

SANKEN(三垦)

2SC4886，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-3PF封装，询盘确认库存，2SC4886
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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4N150L-T3F-T

UTC(友顺)

4N150L-T3F-T，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，4N150L-T3F-T
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AOGF20D65L1L

AOS

AOGF20D65L1L，AOS，二极管 / 开关二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，AOGF20D65L1L
二极管 > 开关二极管
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AOGF30D65L1L

AOS

AOGF30D65L1L，AOS，二极管 / 开关二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，AOGF30D65L1L
二极管 > 开关二极管
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AOGF40D65L1L

AOS

AOGF40D65L1L，AOS，二极管 / 开关二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，AOGF40D65L1L
二极管 > 开关二极管
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AOGF60B65H2AL

AOS

AOGF60B65H2AL，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，AOGF60B65H2AL
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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BU508AF

ST(意法半导体)

BU508AF，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-3PF封装，询盘确认库存，标清CRT显示器的高压NPN功率晶体管
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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FFAF60A150DSTU

onsemi(安森美)

FFAF60A150DSTU，onsemi(安森美)，二极管 / 通用二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，FFAF60A150DSTU
二极管 > 通用二极管
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FGM603

SANKEN(三垦)

FGM603，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，FGM603
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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FGM622S

SANKEN(三垦)

FGM622S，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，FGM622S
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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FGM623S

SANKEN(三垦)

FGM623S，SANKEN(三垦)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3PF封装，询盘确认库存，FGM623S
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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FMEN-430A

SANKEN(三垦)

FMEN-430A，SANKEN(三垦)，二极管 / 肖特基二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，电压:100V 电流:15A
二极管 > 肖特基二极管
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FMW-4304

SANKEN(三垦)

FMW-4304，SANKEN(三垦)，二极管 / 肖特基二极管，TO-3PF封装，询盘确认库存，FMW-4304
二极管 > 肖特基二极管
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R6015ENZC17

ROHM(罗姆)

R6015ENZC17，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:600V 电流:15A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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R6015KNZC17

ROHM(罗姆)

R6015KNZC17，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:600V 电流:15A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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R6020ENZC17

ROHM(罗姆)

R6020ENZC17，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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R6020JNZC17

ROHM(罗姆)

R6020JNZC17，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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R6020JNZC8

ROHM(罗姆)

R6020JNZC8，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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封装选购

TO-3PF 封装选购常见问题

TO-3PF 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 TO-3PF 封装页收录 112 个公开可查询型号，本页优先展示 3 个现货样本。

筛选 TO-3PF 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

TO-3PF 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 ST(意法半导体)、FUJI/富士电机、onsemi(安森美)、WeEn(瑞能)、SUPSiC(国晶微半导体) 或 现货库存、二极管 > 快恢复/高效率二极管、碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)、三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。