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G2R1000MT17D-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

G2R1000MT17D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高阻断电压和5A的持续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐压性能和开关特性，适用于高效率、

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MPN
G2R1000MT17D-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G2R1000MT17D-HXY
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