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SICW1000N170Y-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICW1000N170Y-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的高阻断电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻典型值为800mΩ，可承受最高22V的栅源电压。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐压能力和高温工作稳定性，开关速度

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MPN
SICW1000N170Y-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SICW1000N170Y-HXY
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