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SCT2H12NZGC11-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SCT2H12NZGC11-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有1700V的高漏源击穿电压（VDSS），可持续通过5A的漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）典型值为800mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源额定电

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MPN: SCT2H12NZGC11-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/SCT2H12NZGC11-HXY

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