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IXTH4N150-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

IXTH4N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制应用。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证良好导电性能的同时降低了功耗

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IXTH4N150-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTH4N150-HXY
公开引用边界

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