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IXTH2N150L-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

IXTH2N150L-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V漏源击穿电压（VDSS）和3.7A连续漏极电流（ID），适用于中高电压功率控制场景。导通电阻为1000mΩ（RDON），在保证开关性能的同时降低了导通损耗，