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2SK3746-1E-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

2SK3746-1E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与中功率开关特性。主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A，漏源击穿电压VDSS达1500V，导通电阻RDON为1000mΩ，栅源电压VGS为20V

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MPN: 2SK3746-1E-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-3PF
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/2SK3746-1E-HXY

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