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LSIC1MO170E0750-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

LSIC1MO170E0750-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，导通电阻为800mΩ，栅源电压范围支持±22V。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高压、耐高温性能及出色的开关速度，可显

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MPN
LSIC1MO170E0750-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/LSIC1MO170E0750-HXY
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