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IXTH3N150-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

IXTH3N150-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有1500V的漏源击穿电压（VDSS），可提供最高3.7A的工作电流（ID）。导通电阻（RDON）为1000mΩ，支持20V的栅源电压（VGS），适用于多种高效能电源管理

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MPN
IXTH3N150-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IXTH3N150-HXY
公开引用边界

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