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2SK1317-E-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

2SK1317-E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备1500V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适合高电压应用场景。在导通状态下，其最大漏极电流可达3.7A（ID），导通电阻为1000m