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IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为800mΩ，栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度

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MPN
IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/IMWH170R1K0M1XKSA1-HXY
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