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SICW1000N170A-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

SICW1000N170A-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，这是一款N沟道碳化硅（SiC）场效应管，具有1700V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高电压工作环境。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDON）为800mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能

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MPN
SICW1000N170A-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-3PF
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/SICW1000N170A-HXY
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