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2SK3747-1E-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

2SK3747-1E-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-3PF封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源耐压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID），适合对电压耐受能力有较高要求的电路环境。导通电阻为1000mΩ（RDON），在开关与功率调节过程中能