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KIA 制造商型号现货与BOM询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 296 个公开可查询型号。
296匹配型号
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库存品牌用于采购筛选，正式报价前仍需核对来源、批号和包装。
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完整 MPNKIA50N06BD品牌/制造商KIA封装TO-252-2 / DFN-8 / SOT-23 / TO-252 / SOP-8数量/交期例如 1000pcs，7天内替代边界可接受品牌、不可放宽参数、认证要求
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补完整 MPN、数量、目标品牌/制造商、封装、批号包装、交期和可接受替代范围。
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把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
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统一核价
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资料复核
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MANUFACTURER FAQ
KIA 制造商采购常见问题
KIA 在华芯购有多少公开可查询型号？
当前 KIA 制造商页聚合 296 个公开可查询型号，包含商品制造商字段和资料库制造商匹配结果。
制造商和库存品牌不一致时以哪个为准？
制造商用于识别官方料号和 PDF 资料来源，库存品牌用于采购筛选。正式报价前仍需业务人员核对完整 MPN、官方资料、批号、包装和来源。
采购 KIA 型号时应先核对哪些信息？
建议核对完整型号、封装、温度等级、包装方式、批号、交期、制造商 PDF 和是否接受替代。本页常见封装包括 TO-252-2、DFN-8、SOT-23、TO-252、SOP-8，库存品牌线索包括 KIA。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
KIA50N06BD
KIA
KIA50N06BD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KIA
KNY8104A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 12mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改进的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KNG8104A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)=12mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KPY3203D，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 3.5mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 超低栅极电荷。 100% EAS保证。 绿色环保器件。 优异的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽工艺三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KIA2301，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-2.8A,120mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2301三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KIA
KIA3510AD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，特性：RDS(on) = 9mΩ (典型值) @ VSS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KIA
KPD7910A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻Rps(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KCY3310A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：低RDS(on)和FOM。 极低的开关损耗。 使用先进的SGT技术。 出色的稳定性和一致性。 快速开关和软恢复。 适用于功率开关应用。 低导通电阻（典型值）RDS(on)=5.0mΩ。 适用于硬开关和高频电路。 适用于不间断电源三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA
KND3508A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道,80V,70A,11mΩ@10V,场效应管，MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA3407，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-4.1A,90mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3407三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KIA
KIA3415，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-4.0A,45mΩ@-4.5V,功能与引脚同 AO3415三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KIA
KPD6610B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，先进沟槽MOS技术。100%保证EAS。可靠且耐用。有环保器件可供选择三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KIA50N03BD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 50A，30V，RDS(on)典型值 = 6.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA2305，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，P沟道,-20V,-3.5A,55mΩ@-4.5V,功能与引脚同 SI2305三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >KCD3304A
KIA
KCD3304A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的SGT技术，RDS(ON) = 6.2 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V。 超低栅极电荷。 提供绿色环保器件。 出色的CdV/dt效应抑制。 100% ΔVds测试。 100% UIS测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KIA50N06DD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N管 50A 60V Rds7.5-9.0mΩ Ciss 3000PF TO-252三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KND3308A
KIA
KND3308A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道,80V,80A,6.2mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KND3404B
KIA
KND3404B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)典型值 = 5.0mΩ（典型值），VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg x RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA50N03CD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，KIA50N03CD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA5N50SD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：坚固的高压终端。 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS = 10V时，DFN5*6封装典型值为1.35Ω，TO-252封装典型值为1.38Ω。 规定了雪崩能量。 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。 二极管适用于桥式电路。 规定了三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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KIA
KPE4403A2，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，高单元密度沟槽式双 P 沟道 MOSFET 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。它符合 RoHS 标准和绿色产品要求。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KIA
KIA08TB70DD，KIA，二极管 > 快恢复/高效率二极管，TO-252-2封装，询盘确认库存，该系列是先进的器件，设计用于开关电源、逆变器，也可用作续流二极管。二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-252-2
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查看详情 >KND3080
KIA
KND3080，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET。 RDS(ON) = 4.3mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 Super Low Gate Charge。 Green Dev三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KND3403C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：80A, 30V, RDS(on)(典型值) = 5.0mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：UPS。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KIA
KIA78L05FG，KIA，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-89-3封装，询盘确认库存，是一款单片固定电压调节集成电路，适用于需要高达100mA电源电流的应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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KIA
KIA78L05T，KIA，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-89-3封装，询盘确认库存，KIA78L05是一款单片式固定电压调节集成电路，适用于所需供电电流高达100 mA的应用场景。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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KIA
KIA35P10AD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，-35A -100V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KND3403B
KIA
KND3403B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：85A, 30V, RDS(on) 典型值 = 4.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：UPS。 逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KCD3008A
KIA
KCD3008A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，电机驱动。同步整流 (SR)。DC/DC 转换器。通用应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KND7N65B
KIA
KND7N65B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）@VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KND3903A
KIA
KND3903A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值），@VGS = 10V。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KND3404C
KIA
KND3404C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KIA840SD
KIA
KIA840SD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，环保三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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查看详情 >KND42120A
KIA
KND42120A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RoHS合规。 RDS(ON)，典型值 = 7.0Ω，VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KNY6610A
KIA
KNY6610A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KIA4603AE
KIA
KIA4603AE，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，N沟道 7A 30V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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查看详情 >KIA3400
KIA
KIA3400，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，N沟道,30V,4.8A,42mΩ@4.5V,功能与引脚同 AO3400三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >KNY3303C
KIA
KNY3303C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KNY3404D
KIA
KNY3404D，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 5.2mΩ (typ.)@VGS = 10V。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。应用：PWM应用。 电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6
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查看详情 >KPE4403B
KIA
KPE4403B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOP-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 40mΩ (典型值) @ VGS = -10V。 -5V逻辑电平控制。 P沟道SOP-8封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 开关电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
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查看详情 >KNG3303C
KIA
KNG3303C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.)@VGS = 10V,DFN3*3 / 5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ (typ.)@VGS = 10V,TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KNY3303A
KIA
KNY3303A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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KIA
KIA20N50HF，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220IS封装，询盘确认库存，N沟道 20A 500V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220IS
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查看详情 >KNP6140S
KIA
KNP6140S，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，设计用于高压、高速功率开关应用，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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查看详情 >KNF6140S
KIA
KNF6140S，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KNF4N65F
KIA
KNF4N65F，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 2.4Ω（典型值），VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KPY6115A
KIA
KPY6115A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：先进的高单元密度沟槽技术。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低栅极电荷，实现快速开关。 低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KNF7N65B
KIA
KNF7N65B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω（典型值），VGS = 10V。 符合 RoHS 标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KNF12N65
KIA
KNF12N65，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 0.6Ω（典型值），VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KCY3008A
KIA
KCY3008A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，采用先进的SGT技术；极低的RDS(on).typ=4.5 mΩ@Vgs=10V；优异的栅极电荷x RDS(on)product(FOM)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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查看详情 >KIA2306
KIA
KIA2306，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，N沟道,30V,3.5A,94mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2306三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KNF6450B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：快速开关。 导通电阻RDS(ON) = 0.35Ω（典型值），VGS = 10V。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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KCD3406A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，KCX3406A是一款采用KIA公司的LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统的电源管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KCP2915B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，SGT MOSFET技术 先进沟槽MOS技术三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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KIA2906A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，询盘确认库存，N沟道 130A 60V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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KNB2915A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)= 10mΩ(typ.)@ VGS = 10V。 使用CRM(CQ)先进沟槽技术。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的QgxRDS(on)乘积(FOM)。 根据JEDEC标准合格。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNB3403C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3 / DFN5*6。 RDS(ON) = 4.5mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252 / TO-263。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNG3703A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：RDS(on)(典型值) = 7.5mΩ，VGS = 10V。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：笔记本电脑/上网本/超便携电脑/显卡的高频负载点同步降压转换器。 网络直流-直流电源系统三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KNB2908D，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON)=4.8mΩ（典型值）@VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNC2404A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263-6L封装，询盘确认库存，特性：RDS(on)(TP) = 2.2mΩ @ VGS = 10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源。 DC-DC转换器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-6L
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KIA840SB，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，环保三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KNY3004B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽技术。 导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为2.4mΩ。 超低栅极电荷。 有环保型产品可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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KIA2300，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，N沟道,20V,6A,40mΩ@4.5V,功能与引脚同 SI2300三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KCY3406A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8封装，询盘确认库存，是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用LVMOS技术制造。改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能。该器件广泛用于二次同步整流、逆变器系统的电源管理。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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KIA79L05F，KIA，电源管理 > 线性稳压器(LDO)，SOT-89-3封装，询盘确认库存，KIA79L05 系列三端正电压稳压器提供多种固定输出电压，使其适用于广泛的应用。KIA79L05 可用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，并且静态电流更低。这些器件适用于需要高达 100 mA 稳压电源的众多应用。电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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KND2803A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RDS(on)=2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许重复雪崩至最高结温。 无铅，符合RoHS标准。 采用沟槽工艺技术实现极低导通电阻。 结工作温度为175℃。 开关速度快。 重三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KCT2213A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8封装，询盘确认库存，特性：SGT MOSFET技术。 高耐用性。 导通电阻 RDS(ON)=2.9mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 低栅极电荷（典型值151nC）。 改善的dv/dt能力。 100%雪崩测试。应用：同步整流。 电机控制三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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KCD3406B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，KCD3406B三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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查看详情 >KNF6765A
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KNF6765A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：专有新型平面技术。 符合RoHS标准。 RDS(ON)=0.45Ω(典型值)@VGS = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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KND4360A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2封装，询盘确认库存，N沟道，600V，2.8A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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KNF10N65B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，特性：先进的平面工艺。 RDS(ON) = 0.75Ω（典型值），VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：适配器。 充电器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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查看详情 >KPD6115A
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KPD6115A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：先进的高单元密度沟槽技术。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 低栅极电荷，实现快速开关。 低热阻。 100%雪崩测试。 100% DVDS测试。应用：MB/VGA Vcore。 SMPS 2nd同步整流器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KCT040N10N，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8封装，询盘确认库存，特性：使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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KCT017N10N，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8封装，询盘确认库存，特性：使用Geener先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（POM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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KND3303C，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：RDS(ON) = 2.6mΩ（典型值），VGS = 10V，DFN3*3/5*6。 RDS(ON) = 3.2mΩ（典型值），VGS = 10V，TO-252。 极低导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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KNF6180B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，KNX6180B是一款采用高压平面VDMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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KCT012N10N，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL-8封装，询盘确认库存，特性：使用先进的MOS技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数FOM）。 通过JEDEC标准认证。应用：电机控制和驱动。 电池管理三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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KIA08TB70DP，KIA，二极管 > 快恢复/高效率二极管，TO-220AC-2封装，询盘确认库存，本系列是先进的器件，设计用于开关电源、逆变器以及作为续流二极管。二极管 > 快恢复/高效率二极管
TO-220AC-2
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KNB3308A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，N沟道，80V，80A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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KIA2906AP，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220-3封装，询盘确认库存，特性：RDS(on) = 5.5mΩ（典型值），VGS = 10V。 提供无铅环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。应用：电源。 UPS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220-3
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