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KND7N65B KIA 现货与清单询价
KND7N65B,KIA,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,特性:先进的平面工艺。 RDS(ON) = 1.2Ω(典型值)@VGS = 10V。 符合RoHS标准。 低栅极电荷,可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用:适配器。 充电器
- MPN
- KND7N65B
- 品牌/制造商
- KIA
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/KND7N65B
