现货库存 / 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) / KIA5N50SD

KIA5N50SD TO-252 产品封装示意图

图片按封装类型匹配，仅供识别包装形态，实物与批号请以询价确认结果为准。

BUYER SIGNALS

采购信号
转 BOM
库存询盘确认 封装TO-252 资料官方资料可核对 建议提交需求核库存
同封装 加入 BOM 官方 PDF 继续搜索
TO-252

KIA5N50SD KIA 现货与询价

KIA5N50SD，KIA，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：坚固的高压终端。 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS = 10V时，DFN5*6封装典型值为1.35Ω，TO-252封装典型值为1.38Ω。 规定了雪崩能量。 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当。 二极管适用于桥式电路。 规定了

型号
KIA5N50SD
品牌
KIA
制造商
KIA
分类
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装
TO-252
批号
-
库存状态
询盘确认
报价方式
询盘报价

RFQ READINESS

核价准备度 60%

建议补充关键信息
1库存提交后确认库存
2封装TO-252
3品牌KIA
4批号询价时核对
5资料可打开官方 PDF
还需重点确认：库存、批号。 带入 BOM 核价
人工核对确认型号、品牌、封装、批号与可发数量
BOM 协同暂存对比后统一提交，业务人工复核回复
资料辅助结合制造商 PDF、参数与替代料建议核对
交付确认报价前确认交期、发票和收货要求

QUICK SOURCING

先把 KIA5N50SD 放入采购台

适合从搜索引擎进入后先保留型号，再继续找同封装、同品牌或统一转 BOM。

询盘库存 TO-252主封装 KIA品牌
加入 BOM 同封装现货 封装专题

PROCUREMENT FLOW

把这个型号推进到采购清单

适合先暂存再批量核价
01型号识别KIA5N50SD
02库存/封装询盘确认 · TO-252
03批量处理暂存、对比或转入 BOM
04询价确认批号、包装、交期和检测资料
加入对比 加入 BOM 核对 PDF

BUYER CHECK

采购确认清单

带入 BOM
库存

当前为可询库存，提交需求后确认数量、批号和交期。

资料

采购前核对制造商数据手册、封装尺寸、温度等级和订购料号。

封装

TO-252 是当前主封装识别结果，完整封装/包装仍以询价确认结果为准。

同品牌型号同封装现货封装专题品牌专题制造商页提交询价

NEXT STEP

继续找料与替代

复制/搜索型号
同封装TO-252 同品牌KIA 同类目三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 封装页TO-252 品牌页KIA 制造商KIA BOM带入当前型号
推荐组合 当前型号 + 4 个同类候选，适合一起核价、对比和确认替代范围。
组合转 BOM 组合对比
NCE40H12KNCE(无锡新洁能) · TO-252 164,250 件 询价
AOD409AOS · TO-252 92,500 件 询价
AOD444AOS · TO-252 80,000 件 询价
CS1N60A4H华润华晶 · TO-252 60,000 件 询价

从搜索引擎进入的采购用户，可在这里继续横向比较封装、品牌和同类目现货。

进入询价打开制造商官方PDF提交 BOM 配单

商品参数

漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))1.38Ω@10V
耗散功率(Pd)44.6W

RELATED PARTS

相似型号

查看更多
TO-252

NCE40H12K

NCE(无锡新洁能) NCE40H12K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。

库存 164,250TO-252

AOD409

AOS 特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流。 出色的封装，实现良好的散热。应用：PWM应用。 电源管理

库存 92,500TO-252

AOD444

AOS 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。

库存 80,000TO-252

CS1N60A4H

华润华晶 CS1N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

库存 60,000TO-252

CS2N60A4H

华润华晶 N沟道,600V,2A,3.6Ω@10V

库存 60,000TO-252

NCE3080K

NCE(无锡新洁能) N沟道，30V/80A，5.5毫欧。

库存 58,230TO-252

AOD2910

AOS 使用沟槽 MOSFET 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于 RDS(ON)、Ciss 和 Coss 的极低组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和 LED 背光的升压转换器和同步整流器。

库存 57,518TO-252

AOD403

AOS MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-30V 连续漏极电流(Id)：-70A 功率(Pd)：73W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,10A

库存 50,000TO-252

AOD413A

AOS P沟 -40V -12A

库存 50,000TO-252

CR7N65A4K

CRMICRO(华润微) CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率

库存 45,584TO-252

AOD2610E

AOS 特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 低输出电容。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压（VDS）：60V。 连续漏极电流（ID）：46A（VGS = 10V）。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：< 9.5mΩ（VGS = 10V）；< 13.3mΩ（VGS = 4.5V）

库存 45,000TO-252

AOD442

AOS 特性：采用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 37A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 4.5V)

库存 45,000

PROCUREMENT FAQ

采购常见问题

KIA5N50SD 是否有现货？

KIA5N50SD 当前需要询盘确认库存，提交需求后可核对可供数量、批号、包装和交期。

如何核对 KIA5N50SD 的官方资料？

页面提供 KIA5N50SD 的制造商资料入口，采购前建议核对封装、关键电气参数、温度等级和订购料号。

找不到完全一致的 KIA5N50SD 时怎么办？

可以按 KIA、TO-252 和同类目继续筛选相似型号，也可以在 BOM 备注中写明替代要求。