HIGH-INTENT STOCK TOPIC
MOSFET 场效应管现货库存与替代选型
N沟道、P沟道、功率 MOSFET、SOT/TO/QFN 封装库存与BOM配单。 当前匹配 43,272 个公开可查询型号。公开现货可先按数量、封装和品牌缩小范围，再进入详情核对资料。
43,272匹配型号
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6常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
L2N7002SLLT1G
LRC(乐山无线电)
L2N7002SLLT1G，LRC(乐山无线电)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且支持生产件批准程序（PPAP）。 具备ESD保护。 低导通电阻（RDS(on)）。应用：低端负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >FDV301N
onsemi(安森美)
FDV301N，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，2,544,386件现货，特性：0.22 A, 25 V。RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V。RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。非常低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
2,544,386
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查看详情 >IRF640NPBF
OSEN(欧芯)
IRF640NPBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，1,084,213件现货，高品质MOS管,电流18A,耐压200V,导通电阻：0.12Ω三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
1,084,213
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HYG011N04LS2C2
HUAYI(华羿微)
HYG011N04LS2C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PDFN8L封装，1,005,000件现货，HYG011N04LS2C2三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN8L
1,005,000
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查看详情 >AL5802-7
DIODES(美台)
AL5802-7，DIODES(美台)，电源管理 > LED驱动，SOT-26封装，询盘确认库存，AL5802 结合了一个高增益 NPN 晶体管和一个预偏置的 NPN 晶体管，形成了一个简单且占用空间小的 LED 驱动器。LED 电流由连接在 REXT 引脚（6）到 GND 引脚（4）之间的外部电阻设定，内部高增益晶体管在外部电阻上产生约 0.6V 的电压。电源管理 > LED驱动
SOT-26
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查看详情 >NTA7002NT1G
Leiditech(雷卯电子)
NTA7002NT1G，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-523封装，729,950件现货，特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口。 开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
729,950
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查看详情 >HL6042
R+O(宏嘉诚)
HL6042，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：VDS = -20V。 IO = -5.0A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 43mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >LMN2500N3T5G
LRC(乐山无线电)
LMN2500N3T5G，LRC(乐山无线电)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-883封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:20V 电流:1A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-883
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查看详情 >BSS123-7-F
ElecSuper(静芯)
BSS123-7-F，ElecSuper(静芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，504,000件现货，N沟道，100V，0.29A，2.7Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、LED驱动器、电机控制模块、电源模块等。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
504,000
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查看详情 >NCE3407
NCE(无锡新洁能)
NCE3407，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，478,066件现货，P沟道，-30V，-4.1A，60毫欧。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
478,066
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查看详情 >HL3400A
R+O(宏嘉诚)
HL3400A，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >BLM2301
BL(上海贝岭)
BLM2301，BL(上海贝岭)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，402,888件现货，P沟道,-20V,-3A,110mΩ@-4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
402,888
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查看详情 >NCV7520MWTXG
onsemi(安森美)
NCV7520MWTXG，onsemi(安森美)，电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片，QFN-32-EP封装，询盘确认库存，NCV7520 可编程六沟道低压侧 MOSFET 预驱动器是一个 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 MOSFET。该产品可通过串行 SPI 和并行输入组合控制。该器件提供可兼容 3.3 V/5 V 的输入，串行输出驱动器可基电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
QFN-32-EP
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查看详情 >NCE6080K
NCE(无锡新洁能)
NCE6080K，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，397,500件现货，NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
397,500
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查看详情 >SK2301AA
SHIKUES(时科)
SK2301AA，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：20V/-3A, RDS(ON) = 120mΩ(MAX) @VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 150mΩ(MAX) @VGS = -2.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 SOT-三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >DRV3256EPAPRQ1
TI(德州仪器)
DRV3256EPAPRQ1，TI(德州仪器)，电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片，HTQFP-64封装，询盘确认库存，DRV3256-Q1 栅极驱动峰值灌电流为 2.5A 的集成式三相 48V 汽车栅极驱动器单元 (GDU)电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
HTQFP-64
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查看详情 >IRFP064NPBF
OSEN(欧芯)
IRFP064NPBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-247封装，354,000件现货，高品质MOS管 N沟道 电流:110A 耐压:55V 导通电阻：7mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
354,000
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查看详情 >AO3422
AOS
AO3422，AOS，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-3封装，329,010件现货，特性：55V, 2A, RDS(ON) = 120mΩ@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有绿色环保器件可供选择。应用：电机驱动。 电动工具三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
329,010
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查看详情 >NCE2301
NCE(无锡新洁能)
NCE2301，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，312,000件现货，P沟道，-20V,-3A，64毫欧。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
312,000
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AL3353S-13
DIODES(美台)
AL3353S-13，DIODES(美台)，电源管理 > LED驱动，SOIC-8封装，询盘确认库存，AL3353 是一款高度集成且成本效益高的发光二极管（LED）控制器，专为液晶显示器（LCD）监视器和液晶电视背光应用优化设计。它提供高性能的 LED 背光解决方案，并具有低物料清单成本。该芯片包含一个 PWM 升压驱动器，采用电流模式控制和固定频率操作来调电源管理 > LED驱动
SOIC-8
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查看详情 >2N7002KX
晶扬电子
2N7002KX，晶扬电子，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，MOSFET，小信号，SOT-23三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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查看详情 >IRF1404PBF
OSEN(欧芯)
IRF1404PBF，OSEN(欧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220封装，303,000件现货，高品质MOS管,电流180A,耐压40V,导通电阻：4.6mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
303,000
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查看详情 >QN3109M6N
力智
QN3109M6N，力智，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6封装，303,000件现货，QN3109M6N三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6
303,000
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查看详情 >CSD13380F3
TI(德州仪器)
CSD13380F3，TI(德州仪器)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，PicoStar-3封装，询盘确认库存，CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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