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KNY3004B KIA 现货与清单询价

KNY3004B，KIA，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-8封装，询盘确认库存，特性：先进的沟槽技术。 导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）为10V时，典型值为2.4mΩ。 超低栅极电荷。 有环保型产品可供选择。 出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%进行ΔVds测试。 100%进行UIS测试

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MPN
KNY3004B
品牌/制造商
KIA
封装
DFN-8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/KNY3004B
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