制造商现货
ANHI(安海) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 100 个公开可查询型号。
100匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
按库存品牌继续
先看型号再下单制造商页主要用于找型号和资料入口，库存、交期和报价仍以人工确认结果为准。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AUN084N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.005Ω（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
询盘确认
询盘报价
ASM65R265E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 230mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8x8
询盘确认
询盘报价
AUN050N08BGL
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.9mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
询盘确认
询盘报价
ASD70R600E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.540Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
AUD060N08AG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
AUD034N04LA
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.9mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
ASM60R330E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.305Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8x8
询盘确认
询盘报价
AUR014N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · TOLL-8L RDS(on) = 1.2mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
AUN063N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.5mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
询盘确认
询盘报价
ASD65R350E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.318Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
AUD060N055
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻: -TO252 RDS(ON) = 4mΩ（典型值） · DFN5X6 RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
ASU65R1K4E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.24Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
询盘确认
询盘报价
AUP034N06
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 3mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASE70R950E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.870Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223-2L
询盘确认
询盘报价
ASD65R550E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
AUP060N055
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻: -TO252 RDS(ON) = 4mΩ（典型值） · DFN5X6 RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASB65R220E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
ASW50R130E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.113Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
ASB70R380E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.346Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
AUB040N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：TO263 RDS(on) = 3.7mΩ（典型值） · TO220 RDS(on)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
ASA65R270E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 236mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
AUB033N08BG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.9mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
ASW65R120EFD
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.105Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
AUB056N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻: -DFN5X6 RDS(ON) = 4.6mΩ (典型值) · TO263 RDS(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
AUP023N06
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 1.9mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASU65R550E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
询盘确认
询盘报价
AUB034N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 2.9mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
AUB060N08AG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
ASD65R850E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.750Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
AUP049N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：TO220 RDS(ON) = 4.3mΩ（典型值） · TO263 RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASA60R330E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.305Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
AUB045N12
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 4.1mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
AUP039N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · DFN5x6封装的RDS(ON) = 3.3mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASB65R300E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.278Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
AUA060N08AG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASW65R072EFDA
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.060Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
AUR020N085
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · TO220&TO263 RDS(on) = 2.1mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
AUP026N085
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(on) = 2.1mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASA65R120EFD
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.105Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
AUW033N08BG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.9mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
ASA60R170E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.139Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASA60R090EFDA
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.080Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASA65R850E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.750Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
AUN060N08AG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
询盘确认
询盘报价
ASA60R150E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.120Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASW60R029EFD
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.025Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
ASA65R350E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.318Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ADQ120N080G2
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 80mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
询盘确认
询盘报价
ASA70R600E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.540Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASD70R380E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.346Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
ASW60R150E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.120Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
ASW65R038EFD
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.034Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
AUA039N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · DFN5x6封装的RDS(ON) = 3.3mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASW65R095EFD
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.082Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
询盘确认
询盘报价
AUP062N08BG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASA70R240E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.211Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
AUR030N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · TO220&TO263 RDS(on) = 2.8mΩ (典型值)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
AUP074N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 6.5mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
AUP034N10
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · TO220&TO263 RDS(on) = 2.8mΩ (典型值)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
AUP033N08BG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.9mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASW65R110E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.095Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
AUP056N08BGL
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.9mΩ（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
询盘报价
ASW60R090EFD
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.080Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
询盘确认
询盘报价
AUB062N08BG
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6mΩ（典型值） · 高速功率开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价
ASA65R220E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.19Ω（典型值） · 易于控制栅极开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价
ASA80R290E
ANHI(安海)
特性：低漏源导通电阻 · RDS(ON) = 0.250Ω（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
询盘确认
询盘报价