PUBLIC PAGE SUMMARY

ASB65R300E ANHI(安海) 现货与清单询价

ASB65R300E，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.278Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：Boost PFC开关、单端反激或双晶体管正激、HB或AHB或LLC拓扑。 PC电源、PD适配