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ADQ120N080G2 ANHI(安海) 现货与清单询价

ADQ120N080G2，ANHI(安海)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 80mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2 至 4V。应用：不对称桥。 转换器

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ADQ120N080G2
品牌/制造商
ANHI(安海)
封装
TO-247-4L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ADQ120N080G2
公开引用边界

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