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ASD65R550E ANHI(安海) 现货与清单询价

ASD65R550E，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：升压功率因数校正开关。 单端反激或双晶体管正激拓扑

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MPN
ASD65R550E
品牌/制造商
ANHI(安海)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ASD65R550E
公开内容边界

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