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ASW65R038EFD ANHI(安海) 现货与BOM询价

ASW65R038EFD，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.034Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。应用：软开关升压功率因数校正开关。 HB 或 AHB 或 LLC 半桥和全桥拓扑

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MPN
ASW65R038EFD
品牌/制造商
ANHI(安海)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ASW65R038EFD
公开引用边界

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