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ASM65R265E ANHI(安海) 现货与BOM询价

ASM65R265E,ANHI(安海),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),DFN-8x8封装,询盘确认库存,特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 230mΩ(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.8 至 4.2V。应用:单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC 电源

MPN
ASM65R265E
品牌/制造商
ANHI(安海)
封装
DFN-8x8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/ASM65R265E
公开引用边界

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