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无锡紫光微 制造商型号现货与清单询价

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TPD65R600C

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTX2301A

无锡紫光微

采用沟槽功率技术 · 低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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TPD65R940C

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTD18P10AT

无锡紫光微

特性：沟槽功率MOSFET技术 · 低导通电阻（RDS(ON)）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD65R950M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD65R380D

无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTD120N04AT

无锡紫光微

特性：沟槽功率MOSFET技术 · 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD65R600M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPA65R280D

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPD65R380C

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on)×Qg · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPA60R160D

无锡紫光微

超级结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 根据SJ原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R360M

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on)×Qg · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPD80R900M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 根据SJ原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TPD70R1K5M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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TPA80R300C

无锡紫光微

特性：极低的优值系数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPA65R940C

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPA70R450C

无锡紫光微

特性：非常低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPA90R350A

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:900V 电流:15A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPP65R170M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TPA65R260M

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TTP115N68A

无锡紫光微

采用沟槽功率技术 · 低导通电阻 RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TPW60R090MFD

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 根据SJ原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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TPA65R170M

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on)×Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TTP100N04AT

无锡紫光微

中低压TRENCH MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TSB15N06A

无锡紫光微

特性：沟槽功率DTMOS技术 · 低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TMB160N08A

无锡紫光微

特性：沟槽功率技术 · 低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TPW65R044MFD

无锡紫光微

超结功率MOSFET是用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 根据SJ原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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TPA60R260MFD

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它依据超结（SJ）原理设计并率先推出
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TTB135N68A

无锡紫光微

特性：沟槽功率技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TTP88N08A

无锡紫光微

Trench Power技术 · 低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TPW80R300MFD

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它依据超结（SJ）原理设计并首创
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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TPA65R380D

无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TTD85N03AT

无锡紫光微

Trench Power技术 · 低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TTP115N08A

无锡紫光微

特性：沟槽功率技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TMB120N08A

无锡紫光微

特性：沟槽功率技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TPA65R300MFD

无锡紫光微

超结功率 MOSFET 是高压功率 MOSFET 的革命性技术 · 其设计基于超结 (SJ) 原理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TTP85N08A

无锡紫光微

沟槽功率技术 · 低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TPA60R3K4C

无锡紫光微

特性：非常低的品质因数RDS(on) × Qg · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TTB145N06A

无锡紫光微

Trench Power技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TTP115N08AA

无锡紫光微

采用沟槽功率技术 · 低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TPA60R330M

无锡紫光微

超级结功率 MOSFET 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术 · 根据 SJ 原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPD65R750C

无锡紫光微

高压超结MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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TMP120N08A

无锡紫光微

特性：沟槽功率技术 · 低导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TPA60R160DFD

无锡紫光微

超级结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 根据SJ原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPA65R190MFD

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 根据SJ原理设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA70R360M

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on)×Qg · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPB65R120M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TPB65R600C

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on) × Qg · 100% 雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TPD50R400C

无锡紫光微

特性：极低的品质因数 RDS(on)×Qg · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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TPV65R170M

无锡紫光微

超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术 · 它是根据超结（SJ）原理设计的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P-3
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TPW65R135MFD

无锡紫光微

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术 · 它依据超结（SJ）原理设计并首创
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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TTB85N08A

无锡紫光微

沟槽功率技术 · 低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TMA10N65H

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TMB140N10A

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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TMD1N60B

无锡紫光微

N沟道 600V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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TMP80N08A

无锡紫光微

TMP80N08A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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TMU4N60H

无锡紫光微

特性：快速开关 · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-251
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TPA120R800A

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:12A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA50R250C

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:500V 电流:11A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPA50R400C

无锡紫光微

高压超结MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R150C

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R160M

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R170MFD

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R360MFD

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R530M

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R580C

无锡紫光微

TPA60R580C
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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TPA60R600MFD

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA60R840C

无锡紫光微

高压超结MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R070D

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:700V 电流:45A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R090M

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:650V 电流:47A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R160C

无锡紫光微

高压超结MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R180D

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:700V 电流:20A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R1K5M

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R380C

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R520D

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:700V 电流:7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R600C

无锡紫光微

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R600M

无锡紫光微

TPA65R600M
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA65R750C

无锡紫光微

高压超结MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA70R190C

无锡紫光微

高压超结MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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TPA70R260M

无锡紫光微

TPA70R260M
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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