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TPD80R900M 无锡紫光微 现货与清单询价

TPD80R900M，无锡紫光微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据SJ原理设计。多外延SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件，具有最高的稳健性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。