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TPD65R600M 无锡紫光微 现货与BOM询价
TPD65R600M,无锡紫光微,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它是根据超结(SJ)原理设计的。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品,可针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。
- MPN
- TPD65R600M
- 品牌/制造商
- 无锡紫光微
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TPD65R600M
