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TPB65R120M 无锡紫光微 现货与BOM询价

TPB65R120M，无锡紫光微，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。多外延SJ MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件，具有极高的耐用性，这使得它尤其适用于谐振开关应用，可提高可靠性、效率，减轻重

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MPN
TPB65R120M
品牌/制造商
无锡紫光微
封装
TO-263
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TPB65R120M
公开引用边界

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