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TTD120N04AT 无锡紫光微 现货与BOM询价

TTD120N04AT，无锡紫光微，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：沟槽功率MOSFET技术。 低漏源导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行优化。应用：DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

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MPN
TTD120N04AT
品牌/制造商
无锡紫光微
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/TTD120N04AT
公开引用边界

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