AI CRAWLER SUMMARY
TTD18P10AT 无锡紫光微 现货与BOM询价
TTD18P10AT,无锡紫光微,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,特性:沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化。应用:负载开关。 电池开关
- MPN
- TTD18P10AT
- 品牌/制造商
- 无锡紫光微
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TTD18P10AT
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TTD18P10AT,无锡紫光微,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,特性:沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化。应用:负载开关。 电池开关