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封装：TO-220C-2L
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BSDH10G120E2-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
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BSDH10G65E2-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
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C3D06065I-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR）
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C3D10065I-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管为独立式单管结构 · 具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
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CVFD20065A-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备20A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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DSC04065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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DSC04C065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备4A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
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DSC06065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管为独立式配置 · 具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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DSC06A065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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DSC06C065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备6A的正向电流（IF）和650V的反向重复电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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DSC10065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式封装 · 具有10A的正向平均电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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封装TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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DSC10A065-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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封装TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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封装TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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封装TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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二极管 / 快恢复/高效率二极管
TO-220C-2L
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二极管 / 快恢复/高效率二极管
TO-220C-2L
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封装TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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FFSP0865A-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管为独立式器件 · 具备8A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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封装TO-220C-2L
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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FFSP3065A-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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FFSP3065B-F085-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
该碳化硅二极管采用独立式配置 · 具备30A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）
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二极管 / 碳化硅二极管
TO-220C-2L
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