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C3D08065I-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C3D08065I-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 > 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为8A，反向耐压650V，正向导通压降为1.38V，具备低损耗与高效率的导通特性。基于碳化硅半导体材料，器件具有优异的反向恢复性能，可显著降低开关过程中的能量损耗，支持高频工作模式。其热稳

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MPN
C3D08065I-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C-2L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/C3D08065I-HXY
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