PUBLIC PAGE SUMMARY

E4D20120A-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

E4D20120A-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复电压（VR）达1200V，正向压降（VF）为1.45V，具备良好的导通效率。基于碳化硅半导体材料，该器件具有优异的开关特性和高温工作能力，可有效降低开关损耗并提升系