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BSDH10G120E2-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

BSDH10G120E2-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-220C-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和1200V的反向耐压（VR），在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降（VF）低至1.39V，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料

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MPN: BSDH10G120E2-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/BSDH10G120E2-HXY

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