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TPD2EUSB30DRTR-N BORN(伯恩半导体) 现货与BOM询价
TPD2EUSB30DRTR-N，BORN(伯恩半导体)，TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)，SOT-9X3封装，询盘确认库存，特性：56 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接
- MPN
- TPD2EUSB30DRTR-N
- 品牌/制造商
- BORN(伯恩半导体)
- 封装
- SOT-9X3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/TPD2EUSB30DRTR-N