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S150N10T HL(富海微) 现货与BOM询价
S150N10T,HL(富海微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-220封装,询盘确认库存,MOSFET类型:N,漏源电压(Vdss) (V):100,阈值电压VGS:±20,Vth(V):2~4,导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.3/3.8,连续漏极电流ID(A):150A
- MPN
- S150N10T
- 品牌/制造商
- HL(富海微)
- 封装
- TO-220
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/S150N10T
