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S150N03D HL(富海微) 现货与BOM询价
S150N03D,HL(富海微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN-8L封装,询盘确认库存,平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2~2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A
- MPN
- S150N03D
- 品牌/制造商
- HL(富海微)
- 封装
- PDFN-8L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/S150N03D
