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S150N03D HL(富海微) 现货与BOM询价

S150N03D,HL(富海微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN-8L封装,询盘确认库存,平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2~2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A

MPN
S150N03D
品牌/制造商
HL(富海微)
封装
PDFN-8L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/S150N03D
公开引用边界

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