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NVHL080N120SC1 onsemi(安森美) 现货与BOM询价

NVHL080N120SC1,onsemi(安森美),碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-3封装,询盘确认库存,特性:典型RDS(on) = 80 mΩ。 超低栅极电荷:典型QG(tot) = 56 nC。 低有效输出电容:典型Coss = 80 pF。 100% UIL测试。 符合AEC-Q101标准。 这些器件符合Ro

MPN
NVHL080N120SC1
品牌/制造商
onsemi(安森美)
封装
TO-247-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NVHL080N120SC1
公开引用边界

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