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NTHL080N120SC1 onsemi(安森美) 现货与BOM询价

NTHL080N120SC1,onsemi(安森美),碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-3封装,询盘确认库存,特性:典型RDS(on) = 80 mΩ。 超低栅极电荷(典型QG(tot) = 56 nC)。 低有效输出电容(典型Cₒₛₛ = 80 pF)。 100% UIL测试。 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款

MPN
NTHL080N120SC1
品牌/制造商
onsemi(安森美)
封装
TO-247-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/NTHL080N120SC1
公开引用边界

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