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HC3M0045065D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

HC3M0045065D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，此款碳化硅MOS器件，专为高性能电源管理系统打造，耐压等级达到650V，确保系统运行的安全边际。内阻最大仅为45毫欧，优化了导通性能，有助于降低功耗。提供49安培的连续电流承载能力，适合于中等功率应用，平衡了

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HC3M0045065D
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC3M0045065D
公开引用边界

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