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GC3M0280090D SUPSiC(国晶微半导体) 现货与BOM询价
GC3M0280090D,SUPSiC(国晶微半导体),碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET),TO-247-3封装,询盘确认库存,特性:高阻断电压与低导通电阻。 高速开关与低电容。 具有低反向恢复的快速本征二极管(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 照明
- MPN
- GC3M0280090D
- 品牌/制造商
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 封装
- TO-247-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/GC3M0280090D
