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G080N06K GOFORD(谷峰) 现货与BOM询价

G080N06K，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 阈值电压(Vgs(th))：4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：6.6mΩ@10V 封装：TO-252

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MPN
G080N06K
品牌/制造商
GOFORD(谷峰)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G080N06K
公开引用边界

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