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AOK50B65M2 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

AOK50B65M2，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块的集电极电流（Ic）为50A，集射极击穿电压（Vces）达650V，适用于中高功率电力电子设备。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，在导通状态下可有效控制能量损耗。内置二极管的正向电流（IF）同

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AOK50B65M2
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AOK50B65M2
公开引用边界

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