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AOD7S65 HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与BOM询价

AOD7S65，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252-2L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定

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MPN: AOD7S65
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/AOD7S65

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