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AGM100P35D AGMSEMI(芯控源) 现货与BOM询价

AGM100P35D,AGMSEMI(芯控源),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):40A功率(Pd):100W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id:30mΩ@10V,15A 栅极电荷(Qg@Vgs)23nC@10V 输入电容(Ciss@V

MPN
AGM100P35D
品牌/制造商
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/AGM100P35D
公开引用边界

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