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6G02L HL(富海微) 现货与BOM询价

6G02L，HL(富海微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23-6L封装，询盘确认库存，工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):20/-20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):±0.4～±1.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):17/30，连续漏极电流ID(A):6.3A/-4.1A