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2SD1164DAR MSKSEMI(美森科) 现货与BOM询价
2SD1164DAR，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，SOT-89封装，询盘确认库存，三极管 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@100mA,3V 180~390 NPN,Vceo=32V,Ic=1A
- MPN
- 2SD1164DAR
- 品牌/制造商
- MSKSEMI(美森科)
- 封装
- SOT-89
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/2SD1164DAR