先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
TO-220F 封装现货型号与清单询价
围绕 TO-220F 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 2,026 个公开可查询型号。
同封装核对
TO-220F 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
TO-220F 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
SVF10N65F
SILAN(士兰微)
SVF10N65F,SILAN(士兰微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,88,560件现货,SVF10N65T/F/K/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式SVF12N65F
SILAN(士兰微)
SVF12N65F,SILAN(士兰微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,88,560件现货,N沟道,650V,12A,680mΩ@10VSVF7N65F
SILAN(士兰微)
SVF7N65F,SILAN(士兰微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,88,560件现货,SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换IRF520PBF
Vishay(威世)
IRF520PBF,Vishay(威世),现货库存,TO-220F封装,74,000件现货TK12A50D(STA4,X,S)
TOSHIBA(东芝)
TK12A50D(STA4,X,S),TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,66,793件现货,TK12A50D(STA4,X,S)IPA60R400CE
Infineon(英飞凌)
IPA60R400CE,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220封装,61,620件现货CS8N65FA9R-G
CRMICRO华润微
CS8N65FA9R-G,CRMICRO华润微,现货库存,TO-220F封装,60,000件现货CRRF10L100A
CRMICRO华润微
CRRF10L100A,CRMICRO华润微,现货库存,TO-220F封装,54,468件现货CR7N65FA9K
CRMICRO(华润微)
CR7N65FA9K,CRMICRO(华润微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,41,046件现货,CR7N65F A9K是硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管,采用自对准平面技术制造,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO -SPA20N60C3
Infineon(英飞凌)
SPA20N60C3,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,35,500件现货STF13N60M2
ST(意法半导体)
STF13N60M2,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,35,500件现货2SK3565
TOSHIBA(东芝)
2SK3565,TOSHIBA(东芝),现货库存,TO-220F封装,30,500件现货FDPF44N25T
onsemi(安森美)
FDPF44N25T,onsemi(安森美),现货库存,TO-220F封装,23,621件现货TK12A80W
TOSHIBA(东芝)
TK12A80W,TOSHIBA(东芝),现货库存,TO-220F封装,22,050件现货IPA60R600P7S
Infineon(英飞凌)
IPA60R600P7S,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,20,000件现货TK10A80E,S4X(S
TOSHIBA(东芝)
TK10A80E,S4X(S,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,20,000件现货,特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.7 Ω(典型值)。 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 640 V)。 增强模式:Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 VTK11A65D
OSEN(欧芯)
TK11A65D,OSEN(欧芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220封装,20,000件现货,高品质MOS管 N沟道,电流11A,耐压650V,导通电阻:0.7Ω4N90CL-TF3-T
UTC(友顺)
4N90CL-TF3-T,UTC(友顺),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,17,000件现货,UTC 4N90C 是一款功率 MOSFET 结构器件,其设计旨在具备更优特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。IPA60R180P7S
Infineon(英飞凌)
IPA60R180P7S,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,13,775件现货STF8N80K5
ST(意法半导体)
STF8N80K5,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,12,510件现货FDPF20N50FT
ON超低超低超低
FDPF20N50FT,ON超低超低超低,现货库存,TO-220F封装,12,000件现货STF18N60M2
ST(意法半导体)
STF18N60M2,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,12,000件现货STTH1002CFP
ST(意法半导体)
STTH1002CFP,ST(意法半导体),二极管 / 快恢复/高效率二极管,TO-220F封装,10,500件现货,200 V、10 A双超高速二极管IPA80R450P7
Infineon(英飞凌)
IPA80R450P7,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,10,390件现货TK9A90E.S4X(S
TOSHIBA(东芝)
TK9A90E.S4X(S,TOSHIBA(东芝),现货库存,TO-220F封装,10,000件现货DK5V100R10ST1
DK(东科半导体)
DK5V100R10ST1,DK(东科半导体),电源与功率 / 同步整流控制器,TO-220F封装,10,000件现货,是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。DK5V100R15ST1
DK(东科半导体)
DK5V100R15ST1,DK(东科半导体),电源与功率 / 同步整流控制器,TO-220F封装,10,000件现货,DK5V100R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了100V功率NMOS管,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚,可取代或替换目前市DK5V100R25ST1
DK(东科半导体)
DK5V100R25ST1,DK(东科半导体),电源与功率 / 同步整流控制器,TO-220F封装,10,000件现货,DK5V100R25ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了100V功率NMOS管,只有A,K两个引脚,分别对应肖特基二极管PN管脚,可取代或替换目前市DK5V120R15ST1
DK(东科半导体)
DK5V120R15ST1,DK(东科半导体),电源与功率 / 同步整流控制器,TO-220F封装,10,000件现货,DK5V120R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了120V功率NMOS管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率,取代或替换目前市场上等规的DK5V150R25ST1
DK
DK5V150R25ST1,DK,现货库存,TO-220F封装,10,000件现货DK5V85R15ST1
DK(东科半导体)
DK5V85R15ST1,DK(东科半导体),电源与功率 / 同步整流控制器,TO-220F封装,10,000件现货,DK5V85R15ST1是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片,无需任何外围,可以大幅降低传统肖特基二极管的导通损耗,提高整机效率。芯片内部集成了85V功率NMOS管,采用TO-220F封装。JCS4N80FC
吉林华微
JCS4N80FC,吉林华微,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,10,000件现货,耐压:800V 电流:4ATK17A80W
TOSHIBA(东芝)
TK17A80W,TOSHIBA(东芝),现货库存,TO-220F封装,10,000件现货TK65A10N1,S4X(S
TOSHIBA(东芝)
TK65A10N1,S4X(S,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,10,000件现货,特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式:VtG = 2.0 至 4.TK6A65D(STA4,X,M)
TOSHIBA(东芝)
TK6A65D(STA4,X,M),TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,10,000件现货,特性:低漏源导通电阻:RDS(Ω) = 0.95Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 4.0S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 650V)。 增强模式:VtFCPF11N60F
onsemi(安森美)
FCPF11N60F,onsemi(安森美),现货库存,TO-220F封装,9,500件现货ER1004FCT
PANJIT/强茂
ER1004FCT,PANJIT/强茂,现货库存,TO-220F封装,8,650件现货IPA60R360P7S
Infineon(英飞凌)
IPA60R360P7S,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,7,079件现货ER2004FCT
强茂/PANJIT
ER2004FCT,强茂/PANJIT,现货库存,TO-220F封装,6,000件现货IPA70R360P7S
Infineon(英飞凌)
IPA70R360P7S,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,6,000件现货SIF10N65FA
SI
SIF10N65FA,SI,现货库存,TO-220F封装,6,000件现货STF13N80K5
ST(意法半导体)
STF13N80K5,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,5,000件现货NCE70T180F
NCE(无锡新洁能)
NCE70T180F,NCE(无锡新洁能),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,4,685件现货,1个N沟道 耐压:700V 电流:21ASTF26NM60N
ST(意法半导体)
STF26NM60N,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,4,510件现货IRFI3205PBF
Infineon(英飞凌)
IRFI3205PBF,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,4,134件现货FMV20N50ES
FUJI/富士电机
FMV20N50ES,FUJI/富士电机,现货库存,TO-220F封装,4,000件现货NCE65T540F
NCE(无锡新洁能)
NCE65T540F,NCE(无锡新洁能),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,3,326件现货,该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关模式电源(SMPS)要求。STF22NM60N
ST(意法半导体)
STF22NM60N,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,3,200件现货VS-8ETH06FP-N3
Vishay(威世)
VS-8ETH06FP-N3,Vishay(威世),二极管 / 快恢复/高效率二极管,TO-220F封装,2,778件现货,最先进的超快速恢复整流器,在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和KA5M0380RYDTU
onsemi(安森美)
KA5M0380RYDTU,onsemi(安森美),电源与功率 / AC-DC控制器和稳压器,TO-220F封装,2,544件现货,KA5M0380RYDTUOSG60R180FF
ORIENTAL SEMI(东微)
OSG60R180FF,ORIENTAL SEMI(东微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,2,395件现货,采用电荷平衡技术,实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。针对极致开关性能进行优化,以最大限度地降低开关损耗。专为高功率密度应用量身定制,以满足STP17NK40ZFP
ST(意法半导体)
STP17NK40ZFP,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,2,000件现货VF30100S-E3/4W
Vishay(威世)
VF30100S-E3/4W,Vishay(威世),现货库存,TO-220F封装,2,000件现货IPP60R022S7
Infineon(英飞凌)
IPP60R022S7,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,2,000件现货FQPF4N90C
Tokmas(托克马斯)
FQPF4N90C,Tokmas(托克马斯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,1,850件现货,1个N沟道 耐压:900V 电流:4A 停产TPA50R120C
TI(德州仪器)
TPA50R120C,TI(德州仪器),现货库存,TO-220F封装,1,839件现货STF9N80K5
ST(意法半导体)
STF9N80K5,ST(意法半导体),现货库存,TO-220F封装,1,750件现货IPA80R310CE
Infineon(英飞凌)
IPA80R310CE,Infineon(英飞凌),现货库存,TO-220F封装,1,397件现货IDH06SG60C
Infineon(英飞凌)
IDH06SG60C,Infineon(英飞凌),二极管 / 碳化硅二极管,TO-220F封装,1,300件现货,特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复 / 无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:SMPS(例如CCM PFC)。 电机驱动BTA208X-1000C0,127
WeEn(瑞能)
BTA208X-1000C0,127,WeEn(瑞能),三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块,TO-220F封装,1,120件现货,3Q Hi-Com Triac. 三象限可控硅,8A,耐压1000VFQPF7N80C
onsemi(安森美)
FQPF7N80C,onsemi(安森美),现货库存,TO-220F封装,1,000件现货CRXF06D065G2
华润微
CRXF06D065G2,华润微,现货库存,TO-220F封装,950件现货CRJF74N60G2F
CR MICRO/华润微
CRJF74N60G2F,CR MICRO/华润微,现货库存,TO-220F封装,800件现货CRJF99N65G2BF
CR MICRO/华润微
CRJF99N65G2BF,CR MICRO/华润微,现货库存,TO-220F封装,800件现货CR13N50FA9K
CRMICRO(华润微)
CR13N50FA9K,CRMICRO(华润微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,CR13N50FA9KNJM7815FA
JRC
NJM7815FA,JRC,电源与功率 / 线性稳压器(LDO),TO-220F封装,询盘确认库存,正电压稳压器AOTF5N50
AOS
AOTF5N50,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:500V 电流:5AAOTF260L
AOS
AOTF260L,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:60V 电流:92A 电流:19ACR12N65FA9K
CRMICRO(华润微)
CR12N65FA9K,CRMICRO(华润微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,CR12N65F A9K是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用自对准平面技术制造,可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化NJM7805FA
JRC
NJM7805FA,JRC,电源与功率 / 线性稳压器(LDO),TO-220F封装,询盘确认库存,3端子正电压稳压器KIA7918PI-U/PF
KEC
KIA7918PI-U/PF,KEC,电源与功率 / 线性稳压器(LDO),TO-220F封装,询盘确认库存,负电压1A,18VCS10N50FA9R
华润华晶
CS10N50FA9R,华润华晶,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,CS10N50FA9RCS10N65FA9R
华润华晶
CS10N65FA9R,华润华晶,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,CS10N65F A9R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路,有助于实现系统小型化和CS12N65FA9R
华润华晶
CS12N65FA9R,华润华晶,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:650V 电流:12ACS13N50FA9R
华润华晶
CS13N50FA9R,华润华晶,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,N沟道,500V,13A,400mΩ@10VAOTF20N60
AOS
AOTF20N60,AOS,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:600V 电流:20AOSG65R260FSF
ORIENTAL SEMI(东微)
OSG65R260FSF,ORIENTAL SEMI(东微),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。S系列针对其开关特性进行了优化,以达到严格的EMI标准。易于用于较小的电源TK9A90E,S4X(S
TOSHIBA(东芝)
TK9A90E,S4X(S,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,N沟道 900VNCE65T260F
NCE(无锡新洁能)
NCE65T260F,NCE(无锡新洁能),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,N沟道,650V,15A,260mΩ@10VMBRF10200DT
OSEN(欧芯)
MBRF10200DT,OSEN(欧芯),二极管 / 肖特基二极管,TO-220F封装,询盘确认库存,电压:200V 电流:10A封装选购
TO-220F 封装选购常见问题
TO-220F 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 TO-220F 封装页收录 2,026 个公开可查询型号,本页优先展示 64 个现货样本。
筛选 TO-220F 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
TO-220F 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 SILAN(士兰微)、Vishay(威世)、TOSHIBA(东芝)、Infineon(英飞凌)、CRMICRO华润微 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、现货库存、二极管 > 快恢复/高效率二极管、电源管理 > 同步整流控制器 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
