PUBLIC PAGE SUMMARY

TK10A80E,S4X(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK10A80E,S4X(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，20,000件现货，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V