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TK65A10N1,S4X(S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

TK65A10N1,S4X(S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，10,000件现货，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.0 mΩ (典型值) (VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 100V)。 增强模式：VtG = 2.0 至 4.